高温试验炉

CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。                    

一、 技术指标：

设  备 型 号   NT-CVD(G)-08/50/1  

温区*高温度      1650℃；(*长恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃ (*长恒温时间：≥100小时)      

加热有效容积   Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：Φ72（内经）×250mm    

炉管实际尺寸      Φ80（外径）×1400mm （国产优质刚玉管）  

炉 膛 材  料     氧化铝纤维制品    

控制温区点数   1个，1支B分度热电偶  

设备温场温差   ±1℃ ，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只)  

加 热   元 件       优质硅钼棒    

*大加热功率        12Kw  

保 温 功   率       5kw  

*大升温速率     3℃∽10℃/min;  

  *大降温速率   3℃∽7℃/min    

       温度均匀性   ±3℃(有效范围：Φ72×250mm)    

气路配件材料      气路配件材料，端头不锈钢发兰密封，一路气体采用浮子流量计控制， 所有管道和阀门采用不锈钢元件  

极 限 真  空     ≤10Pa（常温） ,一级机械泵（配电磁阀）。    

压升率   ≤5Pa/h  

1000℃时可抽真空，能通氮气保护

外型参考尺寸    1250（L）×1650（H）×650（w）mm

输入动力电源    单相电源，50HZ ，220V±10%；10KW

炉体表面温升   ≤45℃